Los módulos PANDA 3.0 utilizan la tecnología de células TOPCon monocristalinas de tipo n más avanzada del sector. Gracias a sus materiales de encapsulación de alta calidad y su clásica estructura de lámina posterior de vidrio, los módulos PANDA 3.0 son ideales para entornos exigentes y ofrecen una alta fiabilidad y garantía de calidad.
2. La cinta de soldadura invisible de gran angular crea componentes de alto rendimiento y excelente apariencia.
Las cintas circulares/triangulares multibar aumentan la tasa de utilización óptica del área de la cinta del 5 % a más del 40 %; la "tecnología de sigilo de cinta de gran angular" basada en la reflexión total puede reducir la contaminación lumínica dentro de un cierto rango angular.
3. Alta fiabilidad
Este módulo también ofrece un excelente rendimiento en condiciones de baja luminosidad y mantiene una generación de energía estable incluso bajo iluminación deficiente. Esto se debe a la aplicación de la tecnología integral de supresión de atenuación LID (degradación inducida por la luz)/LeTID (degradación inducida por el potencial), que reduce eficazmente la pérdida de energía de los componentes en entornos con poca luz y aumenta aún más la generación de energía.
4. LID ultrabaja
Atenuación en el primer año: 1%, atenuación anual: 0,4%. Proporciona ingresos estables y a largo plazo por generación de energía para los clientes finales. Menor degradación gracias a la celda anti-PID y los materiales de encapsulación.
| Número de producto | 550 | 555 | 560 | 565 | 570 | 575 |
| seguro de calidad | ||||||
| garantía de calidad del producto | 12 años | |||||
| Potencia de salida garantizada | Se degrada un 0,55% anual durante 25 años. | |||||
| Parámetros de rendimiento eléctrico (STC) | ||||||
| Potencia máxima (Pmax) | 550 Wp | 555 Wp | 560 Wp | 565 Wp | 570 Wp | 575 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 41,57 V | 41,76 V | 41,94 V | 42,13 V | 42,29 V | 42,47 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 13.24 A | 13.30 A | 13.36 A | 13.42 A | 13.48 A | 13,54 A |
| Voltaje en circuito abierto (Voc) | 50,26 V | 50,46 V | 50,66 V | 50,86 V | 51,06 V | 51,26 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 13,89 A | 14.07 A | 14.14 A | 14.20 A | 14.26 A | 14.32 A |
| Eficiencia de los componentes | 21,29% | 21,48% | 21,68% | 21,87% | 22,07% | 22,26% |
| Desviación de potencia (positiva) | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% |
| Parámetros de rendimiento eléctrico (NOCT) | ||||||
| Potencia máxima (Pmax) | 417,85 Wp | 421,67 Wp | 425,39 Wp | 429,24 Wp | 432,80 Wp | 436,57 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 39,58 V | 39,77 V | 39,94 V | 40,12 V | 40,27 V | 40,44 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 10,56 A | 10,60 A | 10,65 A | 10,70 A | 10,75 A | 10.80 A |
| Voltaje en circuito abierto (Voc) | 47,64 V | 47,83 V | 48,02 V | 48,21 V | 48,40 V | 48,59 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 11.28 A | 11.34 A | 11.40 A | 11.45 A | 11.50 A | 11.55 A |
| temperatura máxima duradera | 42±2 °C | |||||
| características de temperatura | ||||||
| Temperatura de funcionamiento | -40~85 °C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | #¿NOMBRE? | |||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | #¿NOMBRE? | |||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,046 %/°C | |||||
| Parámetros de integración del sistema | ||||||
| voltaje del sistema | 1000 V CC / 1500 V CC | |||||
| Corriente nominal del fusible | 30 A | |||||
| parámetros físicos | ||||||
| Dimensiones del componente (altura/anchura/grosor) | 2278x1134x30 mm | |||||
| peso | 32,0 kg | |||||
| Tipo de célula | silicio monocristalino | |||||
| Especificación de la celda | 144×144 mm | |||||
| Cantidad de células | 144 | |||||
| tipo de vidrio | Templado | |||||
| espesor del vidrio | 3,2 mm | |||||
| tipo de borde | aleación de aluminio anodizado | |||||
| Clase de protección de la caja de conexiones | IP 68 | |||||
| tipo de conector | MC4 | |||||
| Sección transversal del cable | 4 mm2 | |||||
| longitud del cable | 1200 mm | |||||