Producto
Trina Vertex S TSM-DEG9R.20 415-435W
Especificación
**Potencial para reducir los costos de BOS**: Esta serie de componentes tiene un gran potencial para reducir los costos de BOS (componentes externos del sistema) y generar mayores beneficios económicos para los inversores.
**Rendimiento de referencia en la industria de semiconductores**: Esta serie de componentes utiliza obleas de silicio de tamaño estándar en la industria de semiconductores, lo que garantiza el máximo nivel de rendimiento y rentabilidad.
**Potencia de salida optimizada**: La aplicación de la tecnología de empaquetado de alta densidad optimiza la potencia de salida, mejorando así el rendimiento de los módulos solares.
**Alta eficiencia de generación de energía sostenida**: La baja tasa de atenuación de este componente garantiza una alta eficiencia de generación de energía continua y crea más energía limpia para los usuarios.
Lista de parámetros
| Número de producto | 415 | 420 | 425 | 430 | 435 |
| seguro de calidad | Garantía de mano de obra del producto de 15 años | ||||
| garantía de calidad del producto | Garantía eléctrica de 30 años | ||||
| Potencia de salida garantizada | 1% de degradación en el primer año, 0,4% de atenuación de potencia anual. | ||||
| Parámetros de rendimiento eléctrico (STC) | |||||
| Potencia máxima (Pmax) | 415 Wp | 420 Wp | 425 Wp | 430 Wp | 435 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 41 V | 41,3 V | 41,5 V | 41,8 V | 42 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 10.11 A | 10.17 A | 10.24 A | 10.3 A | 10.36 A |
| Voltaje en circuito abierto (Voc) | 49,4 V | 49,7 V | 49,9 V | 50,3 V | 50,6 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 10,64 A | 10,69 A | 10,74 A | 10.81 A | 10,86 A |
| Eficiencia de los componentes | 20,80% | 21% | 21,30% | 21,50% | 21,80% |
| Desviación de potencia (positiva) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
| Parámetros de rendimiento eléctrico (NOCT) | |||||
| Potencia máxima (Pmax) | 313 Wp | 317 Wp | 320 Wp | 325 Wp | 328 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 38,5 V | 38,7 V | 39 V | 39,3 V | 39,5 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 8.13 A | 8.17 A | 8.21 A | 8.27 A | 8.3 A |
| Voltaje en circuito abierto (Voc) | 46,5 V | 46,8 V | 46,9 V | 47,3 V | 47,6 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 8.58 A | 8.61 A | 8,65 A | 8.71 A | 8,75 A |
| temperatura máxima duradera | 43±2 °C | ||||
| características de temperatura | |||||
| Temperatura de funcionamiento | -40~85 °C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | -0,25 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,04 %/°C | ||||
| Parámetros de integración del sistema | |||||
| voltaje del sistema | 1500 V | ||||
| Corriente nominal del fusible | 20 A | ||||
| parámetros físicos | |||||
| Dimensiones del componente (altura/anchura/grosor) | 1762x1134x30 mm | ||||
| peso | 21,8 kg | ||||
| Tipo de célula | silicio monocristalino | ||||
| Cantidad de células | 144 | ||||
| tipo de vidrio | Recubrimiento antirreflectante, templado | ||||
| Tipo de material de sellado | EVA | ||||
| tipo de borde | aleación de aluminio anodizado | ||||
| Clase de protección de la caja de conexiones | IP 68 | ||||
| tipo de conector | MC4 | ||||
| Sección transversal del cable | 4 mm² | ||||
