El módulo Panda 3.0 utiliza materiales de embalaje de alta calidad y una estructura clásica de panel posterior de vidrio, lo que le permite adaptarse perfectamente a diversas condiciones ambientales adversas. Ya sea a altas o bajas temperaturas, con alta humedad o a gran altitud, el módulo Panda 3.0 puede operar de forma estable y mantener un rendimiento excelente.
2. Potencia máxima de hasta 575 W+
Para muchos escenarios de aplicación, esta potencia es suficiente para cubrir las necesidades. Por ejemplo, en equipos industriales que requieren mucha energía, este módulo garantiza el funcionamiento normal y eficiente del equipo. Asimismo, para algunos ordenadores de juegos de alto rendimiento o estaciones de trabajo profesionales, esta potencia también satisface sus necesidades de alto rendimiento.
3. Alta fiabilidad
Este componente también utiliza una tecnología integral de supresión de atenuación LID/LeTID. Esta tecnología puede seguir mejorando la eficiencia de la generación de energía después de su uso, lo que permite que los componentes produzcan más electricidad durante períodos prolongados.
4. LID ultrabaja
Atenuación en el primer año: 1%, atenuación anual: 0,4%. Proporciona ingresos estables y a largo plazo por generación de energía para los clientes finales. Menor degradación gracias a la celda anti-PID y los materiales de encapsulación.
| Número de producto | 645 | 650 | 655 | 660 | 665 | 670 |
| seguro de calidad | ||||||
| garantía de calidad del producto | 12 años | |||||
| Potencia de salida garantizada | Se degrada un 0,55% anual durante 25 años. | |||||
| Parámetros de rendimiento eléctrico (STC) | ||||||
| Potencia máxima (Pmax) | 645 Wp | 650 Wp | 655 Wp | 660 Wp | 665 Wp | 670 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 37,50 V | 37,70 V | 37,90 V | 38,10 V | 38,30 V | 38,50 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 17.20 A | 17.24 A | 17.29 A | 17.33 A | 17.37 A | 17.41 A |
| Voltaje en circuito abierto (Voc) | 45,10 V | 45,30 V | 45,50 V | 45,70 V | 45,90 V | 46,10 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 18.26 A | 18.31 A | 18.36 A | 18.42 A | 18.48 A | 18.54 A |
| Eficiencia de los componentes | 20,76% | 20,92% | 21,09% | 21,25% | 21,41% | 21,57% |
| Desviación de potencia (positiva) | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% |
| Parámetros de rendimiento eléctrico (NOCT) | ||||||
| Potencia máxima (Pmax) | 484,42 Wp | 488,18 Wp | 491,93 Wp | 495,69 Wp | 499,44 Wp | 503,20 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 35,21 V | 35,40 V | 35,56 V | 35,75 V | 35,94 V | 36,13 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 13,76 A | 13,79 A | 13,83 A | 13,86 A | 13,90 A | 13,93 A |
| Voltaje en circuito abierto (Voc) | 42,64 V | 42,83 V | 43,02 V | 43,21 V | 43,40 V | 43,59 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 14.71 A | 14,75 A | 14,79 A | 14,84 A | 14.89 A | 14,94 A |
| temperatura máxima duradera | 43±2 °C | |||||
| características de temperatura | ||||||
| Temperatura de funcionamiento | -40~85 °C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,34 %/°C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | -0,25 %/°C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,04 %/°C | |||||
| Parámetros de integración del sistema | ||||||
| voltaje del sistema | 1000 V CC / 1500 V CC | |||||
| Corriente nominal del fusible | 30 A | |||||
| parámetros físicos | ||||||
| Dimensiones del componente (altura/anchura/grosor) | 2384x1303x35 mm | |||||
| peso | 34 kg | |||||
| Tipo de célula | silicio monocristalino | |||||
| Especificación de la celda | 132×132 mm | |||||
| Cantidad de células | 132 | |||||
| tipo de vidrio | Templado | |||||
| espesor del vidrio | 3,2 mm | |||||
| tipo de borde | aleación de aluminio anodizado | |||||
| Clase de protección de la caja de conexiones | IP 68 | |||||
| tipo de conector | MC4 | |||||
| Sección transversal del cable | 4 mm2 | |||||
| longitud del cable | 1200 mm | |||||