1. La configuración de medio chip es otra característica destacada del módulo, ya que reduce el efecto de sombreado y el riesgo de puntos calientes. Esto significa que, en entornos soleados, los módulos pueden captar la energía solar con mayor eficiencia, aumentando así la generación de energía. Asimismo, la configuración de medio chip también reduce el riesgo de puntos calientes, lo que hace que el módulo sea más seguro y fiable durante su uso.
2. Potencia máxima de hasta 610 W o más
Potencia de salida máxima del módulo: hasta 610 W o más
3. Alta fiabilidad
Las baterías de ultra baja carga (LID) ofrecen mayor potencia de salida y eficiencia de componentes. Gracias a su alto factor de carga, absorben la luz solar con mayor eficacia, mejorando así la eficiencia de conversión fotoeléctrica. Esto significa que, bajo las mismas condiciones de iluminación, las baterías de ultra baja carga pueden generar más electricidad y aumentar la generación de energía.
4. Tapa ultrabaja
Degradación anual del 0,55 % durante 25 años. Asimismo, el uso de baterías y materiales de embalaje resistentes a la degradación inducida por potencial (PID) también puede reducir el riesgo de degradación de la batería durante su uso. Estos materiales resisten eficazmente los efectos de la PID, prolongando así la vida útil de la batería.
Asimismo, el uso de baterías y materiales de embalaje resistentes a la degradación inducida por potencial (PID) también puede reducir el riesgo de degradación de la batería durante su uso. Estos materiales resisten eficazmente los efectos de la PID, prolongando así la vida útil de la batería.
| Número de producto | JAM78S30-585/GR | JAM78S30-590/GR | JAM78S30-595/GR | JAM78S30-600/GR | JAM78S30-605/GR | JAM78S30-610/GR |
| seguro de calidad | ||||||
| garantía de calidad del producto | 12 años | |||||
| Potencia de salida garantizada | Degradación anual del 0,45% durante 30 años | |||||
| Parámetros de rendimiento eléctrico (STC) | ||||||
| Potencia máxima (Pmax) | 585 Wp | 590 Wp | 595 Wp | 600 Wp | 605 Wp | 610 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 44,56 V | 44,8 V | 45,05 V | 45,3 V | 45,53 V | 45,77 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 13.13 A | 13.17 A | 13.21 A | 13.25 A | 13.29 A | 13.33 A |
| Tensión de circuito abierto (Voc) | 53,2 V | 53,3 V | 53,4 V | 53,5 V | 53,61 V | 53,73 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 13.88 A | 13.93 A | 13.98 A | 14.03 A | 14.08 A | 14.13 A |
| Eficiencia de los componentes | 20,90% | 21,10% | 21,30% | 21,50% | 21,60% | 21,80% |
| Desviación de potencia (positiva) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
| Parámetros de rendimiento eléctrico (NOCT) | ||||||
| Potencia máxima (Pmax) | 442 Wp | 446 Wp | 450 Wp | 454 Wp | 458 Wp | 462 Wp |
| Tensión máxima de funcionamiento (Vmpp) | 42,69 V | 42,82 V | 42,94 V | 43,07 V | 43,21 V | 43,34 V |
| Corriente máxima de funcionamiento (Impp) | 10.36 A | 10.42 A | 10.48 A | 10.54 A | 10.6 A | 10.66 A |
| Tensión de circuito abierto (Voc) | 50,59 V | 50,72 V | 50,86 V | 51,01 V | 51,17 V | 51,33 V |
| Corriente de cortocircuito (Isc) | 11.07 A | 11.13 A | 11.19 A | 11.25 A | 11.3 A | 11.35 A |
| temperatura máxima de durabilidad | 45±2 °C | |||||
| características de temperatura | ||||||
| Temperatura de funcionamiento | -40~85 °C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,35 %/°C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | -0,275 %/°C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,045 %/°C | |||||
| Parámetros de integración del sistema | ||||||
| tensión del sistema | 1500 V | |||||
| Fusible de corriente nominal | 25 A | |||||
| parámetros físicos | ||||||
| Tamaño del componente (alto/ancho/grosor) | 2465 x 1134 x 35 mm | |||||
| peso | 30,5 kg | |||||
| tipo de célula | pasivación posterior | |||||
| Cantidad de células | 156 | |||||
| Número de diodos de derivación | 3 | |||||
| Clase de protección de la caja de conexiones | IP 68 | |||||
| tipo de conector | MC4 | |||||
| Sección transversal del cable | 4 mm² | |||||
| longitud del cable | 1500 mm | |||||